ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MMBFJ176, Транзистор, P-канал 30В 0.025А [SOT-23] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MMBFJ176, Транзистор, P-канал 30В 0.025А [SOT-23]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
MMBFJ176, Транзистор, P-канал 30В 0.025А [SOT-23]
Последняя цена
83 руб.
Сравнить
Описание
P-канальный JFET, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MMBFJ176
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1783149
Технические параметры
Вес, г
0.05
Структура
p-канал
Корпус
sot-23
Напряжение пробоя (V(br)gss), В
30
Ток утечки (Idss), мА
2…25
при Vds, В (Vgs=0)
15
Напряжение отсечки (Vgs off), В
1…4
при Id, нА
10
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
0.225
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+150
Сопротивление канала (RDS(On)), Ом
250(max)
Техническая документация
MMBFJ177 , pdf
, 241 КБ
Datasheet , pdf
, 402 КБ
MMBFJ175_176_177 , pdf
, 729 КБ
Datasheet MMBFJ176 , pdf
, 349 КБ