ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MMBFJ112, Транзистор JFET N-канал 35В 0.35Вт [SOT-23-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MMBFJ112, Транзистор JFET N-канал 35В 0.35Вт [SOT-23-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
MMBFJ112, Транзистор JFET N-канал 35В 0.35Вт [SOT-23-3]
Последняя цена
10 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный JFET, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MMBFJ112
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1783147
Технические параметры
Вес, г
0.05
Тип корпуса
SOT-23
Ширина
1.3
Число контактов
3
Конфигурация
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
35 В
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Transistor Configuration
Одинарный
Длина
2.92мм
Запирающий ток сток-исток Idss
min. 5mA
Высота
0.93мм
Размеры
2.92 x 1.3 x 0.93мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа
Surface Mount
Максимальное сопротивление сток-исток
50 Ом
Тип канала
N
Емкость исток-затвор
28пФ
Емкость сток-затвор
28пФ
Максимальное напряжение сток-затвор
35V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 399 КБ
MMBFJ112 , pdf
, 419 КБ
Datasheet MMBFJ112 , pdf
, 414 КБ
Datasheet , pdf
, 415 КБ