ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJH6284G, Микросхема - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MJH6284G, Микросхема
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJH6284G, Микросхема
Последняя цена
660 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MJH6284G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2211344
Технические параметры
Вес, г
4.082
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 В
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
16.26mm
Maximum Collector Base Voltage
100 В
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
100 В
Package Type
TO-247
Maximum Power Dissipation
160 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
5.3мм
Height
21.08mm
Pin Count
2
Dimensions
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 В
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Cut-off Current
5mA
Maximum Continuous Collector Current
20 А
Техническая документация
Datasheet MJH6284G , pdf
, 240 КБ
Datasheet , pdf
, 125 КБ