MJH11019G, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 200В, 15А, 150Вт, TO247, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 740 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы Дарлингтона\Транзисторы Дарлингтона PNP THT

• Дополнительное устройство
• Монолитное строительство

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MJH11019G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2186324

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

6.11

Base Product Number

MJH11019 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

15A

Current - Collector Cutoff (Max)

1mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

400 @ 10A, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

3MHz

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power - Max

150W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247

Transistor Type

PNP - Darlington

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

4V @ 150mA, 15A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

200V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Power Dissipation

150 Вт

Pin Count

Maximum Emitter Base Voltage

5 V dc

Minimum DC Current Gain

100@15A@5V|400@10A@5V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

PNP

Размеры

15.2 x 4.9 x 20.35мм

Pd - рассеивание мощности

150 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

20.35мм

Длина

15.2мм

Категория продукта

Транзисторы Дарлингтона

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

100, 400

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

15 A

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

200 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

200 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

15 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

Серия

MJH11019

Тип продукта

Darlington Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247

Ширина

4.9мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

4 V dc

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

PNP

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

200

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

200

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

3.8@150mA@15A

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

4@150mA@15A|2.5@100mA@10A

Maximum Power Dissipation (mW)

150000

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tube

Automotive

Standard Package Name

TO-247

Supplier Package

TO-247

Military

Mounting

Through Hole

Package Height

21.08(Max)

Package Length

16.26(Max)

Package Width

5.3(Max)

PCB changed

Tab

Lead Shape

Through Hole

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

200 V dc

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 V dc

Число контактов

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

3.8 V dc

Тип корпуса

SOT-93

Maximum Continuous Collector Current

15 A

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Страна происхождения

Maximum Continuous DC Collector Current (A)

Техническая документация

Datasheet , pdf , 96 КБ
Datasheet , pdf , 212 КБ
Datasheet , pdf , 213 КБ
Datasheet , pdf , 136 КБ

MJH11019G, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 200В, 15А, 150Вт, TO247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 740 руб.

Техническая документация