ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJF122G транзистор, Darlington NPN 100V 5A TO - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MJF122G транзистор, Darlington NPN 100V 5A TO
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJF122G транзистор, Darlington NPN 100V 5A TO
Последняя цена
180 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MJF122G транзистор
P/N
MJF122G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1808660
Технические параметры
Вес, г
3.266
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3.5 V dc
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
10.63mm
Maximum Collector Base Voltage
100 В
Transistor Configuration
Single
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
100 В
Package Type
TO-220
Maximum Power Dissipation
2 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
4.9мм
Height
16.12mm
Pin Count
3
Dimensions
10.63 x 4.9 x 16.12mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 В
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Collector Cut-off Current
10мкА
Maximum Continuous Collector Current
8 A
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 150 КБ
Datasheet , pdf
, 221 КБ