ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJE803G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 80В, 4А, 40Вт, TO225AA - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MJE803G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 80В, 4А, 40Вт, TO225A…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJE803G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 80В, 4А, 40Вт, TO225AA
Последняя цена
87 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы Дарлингтона\Транзисторы Дарлингтона NPN THT
Транзисторы Дарлингтона 4A 80V Bipolar Power NPN
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MJE803G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2091683
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.65
Base Product Number
MJE803 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
4A
Current - Collector Cutoff (Max)
100ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
750 @ 2A, 3V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Bulk
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Power - Max
40W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-225AA
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.8V @ 40mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80V
Pd - рассеивание мощности
40 W
Вид монтажа
Through Hole
Высота
11.04 mm
Длина
7.74 mm
Категория продукта
Транзисторы Дарлингтона
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
100
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
4 A
Максимальный ток отсечки коллектора
100 uA
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
500
Серия
MJE802
Тип продукта
Darlington Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка
Bulk
Упаковка / блок
TO-225
Ширина
2.66 mm
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 194 КБ
Datasheet , pdf
, 132 КБ