MJE802G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 4 А, 40 Вт, TO-225, Through Hole, ONSEMI - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

• Дополнительное устройство
• Монолитная конструкция со встроенными резисторами база-эмиттер для ограничения умножения утечки

Производитель

ONSEMI

Артикул

MJE802G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1305544

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

80В

Стиль Корпуса Транзистора

TO-225

Рассеиваемая Мощность

40Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

4А

DC Усиление Тока hFE

100hFE

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

0.68

MJE802G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 4 А, 40 Вт, TO-225, Through Hole - характеристики, поставщики