MJE5850G, Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 8 А, 80 Вт, TO-220, Through Hole, ONSEMI - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 460 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

MJE5850G - это биполярный силовой транзистор PNP на 8 А, предназначенный для переключения высокого напряжения, высокой скорости и мощности в индуктивных цепях, где время спада критично.

Информация

Производитель

ONSEMI

Артикул

MJE5850G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1305540

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

300В

Стиль Корпуса Транзистора

to-220

Рассеиваемая Мощность

80Вт

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

8А

DC Усиление Тока hFE

15hFE

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

3.81

Техническая документация

Datasheet MJE5850G , pdf , 99 КБ

MJE5850G, Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 8 А, 80 Вт, TO-220, Through Hole - характеристики, поставщики

Последняя цена 460 руб.

Техническая документация