ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJE181G, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 3 А, 1.5 Вт, TO-225, Through Hole - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
MJE181G, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 3 А, 1.5 Вт, TO-225, Throug…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJE181G, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 3 А, 1.5 Вт, TO-225, Through Hole
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
MJE181G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1305521
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
60В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-225
Рассеиваемая Мощность
1.5Вт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
3А
DC Усиление Тока hFE
12hFE
Частота Перехода ft
50МГц
Transistor Mounting
Through Hole
Вес, г
0.68
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 120 КБ