MJE170G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 3 А, 12.5 Вт, TO-225, Through Hole - характеристики, поставщики

MJE170G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 3 А, 12.5 Вт, TO-225, Through Hole

Сравнить

Производитель

ONSEMI

Артикул

MJE170G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1305515

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

40В

Стиль Корпуса Транзистора

TO-225

Рассеиваемая Мощность

12.5Вт

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

3А

DC Усиление Тока hFE

12hFE

Частота Перехода ft

50МГц

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г