ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJE15030G, Транзистор NPN 150В 8А [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MJE15030G, Транзистор NPN 150В 8А [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJE15030G, Транзистор NPN 150В 8А [TO-220]
Последняя цена
140 руб.
Сравнить
Описание
Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MJE15030G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1782878
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
150
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
50
Корпус
to-126
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
30
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 77 КБ
Datasheet , pdf
, 226 КБ
MJE15028 , pdf
, 80 КБ