MJD6039T4G, Биполярный транзистор, Дарлингтона, NPN, 80 В, 4 А, 20 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount - характеристики, поставщики

MJD6039T4G, Биполярный транзистор, Дарлингтона, NPN, 80 В, 4 А, 20 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Сравнить

Производитель

ONSEMI

Артикул

MJD6039T4G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1305508

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

80В

Стиль Корпуса Транзистора

TO-252 (DPAK)

Рассеиваемая Мощность

20Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

4А

DC Усиление Тока hFE

1000hFE

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.43