MJD45H11-1G, Транзистор, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Силовые транзисторы PNP, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MJD45H11-1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1803370

Технические параметры

Вес, г

0.3

Transistor Type

PNP

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Maximum Collector Base Voltage

10 В пост. тока

Brand

ON Semiconductor

Package Type

IPAK (TO-251)

Maximum Power Dissipation

20 Вт

Pin Count

Dimensions

6.73 x 2.38 x 6.22мм

Maximum Emitter Base Voltage

5 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В пост. тока

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальный пост. ток коллектора

8 A

Максимальная рабочая частота

20 МГц

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1,5 В пост. тока

Техническая документация

Datasheet , pdf , 127 КБ
Datasheet MJD45H11-1G , pdf , 107 КБ
Datasheet MJD45H11-1G , pdf , 100 КБ

MJD45H11-1G, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация