ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJD350T4, Транзистор NPN 300В 0.5A [DPAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
MJD350T4, Транзистор NPN 300В 0.5A [DPAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJD350T4, Транзистор NPN 300В 0.5A [DPAK]
Последняя цена
26 руб.
Сравнить
Описание
Высоковольтные транзисторы, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
MJD350T4
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1746308
Технические параметры
Вес, г
0.4
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Type
PNP
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
6.6мм
Maximum Collector Base Voltage
300 В
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
STMicroelectronics
Maximum Collector Emitter Voltage
300 В
Package Type
DPAK (TO-252)
Maximum Power Dissipation
15 W
Width
6.2мм
Maximum DC Collector Current
500 мА
Height
2.4мм
Pin Count
3
Dimensions
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Maximum Emitter Base Voltage
3 В
Minimum DC Current Gain
30
Техническая документация
Datasheet MJD350T4 , pdf
, 343 КБ
Datasheet , pdf
, 504 КБ