MJD32CT4, Транзистор PNP 100В 3A [DPAK], ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 18 руб.

Сравнить

Описание

Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 1.2 В; IК(макс): 3 А; Pрасс: 15 Вт; h21: 10...50
Корпус TO252, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 15 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 3 А, Коэффициент усиления по току, min 10, Коэффициент усиления по току, max 50

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

MJD32CT4

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1746309

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.4

Pd - рассеивание мощности

15 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

2.4 mm (Max)

Длина

6.6 mm (Max)

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

3 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

100 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

3 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

MJD32C

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

STMicroelectronics

Упаковка / блок

TO-252-3

Ширина

6.2 mm (Max)

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.2 V

Техническая документация

Datasheet MJD32CT4 , pdf , 408 КБ
Datasheet MJD32CT4 , pdf , 397 КБ

MJD32CT4, Транзистор PNP 100В 3A [DPAK] - характеристики, поставщики

Последняя цена 18 руб.

Техническая документация