ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJD127T4, Транзистор PNP - Darlington 100В 8A [DPAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
MJD127T4, Транзистор PNP - Darlington 100В 8A [DPAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJD127T4, Транзистор PNP - Darlington 100В 8A [DPAK]
Последняя цена
21 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы Дарлингтона PNP, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
MJD127T4
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1746310
Технические параметры
Вес, г
0.4
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Type
PNP
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
6.6mm
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Transistor Configuration
Single
Brand
STMicroelectronics
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
6.2mm
Height
2.4mm
Pin Count
3
Dimensions
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4.5 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.01mA
Maximum Continuous Collector Current
5 A
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 577 КБ