ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJD117T4G, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MJD117T4G, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJD117T4G, Транзистор
Последняя цена
210 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы Дарлингтона PNP, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MJD117T4G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1806319
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.426
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.38мм
Высота
2.38мм
Длина
6.73мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
6.22мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
3 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
4 В
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Максимальный непрерывный ток коллектора
4 А
Максимальный запирающий ток коллектора
0.02mA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 149 КБ
Datasheet MJD117T4G , pdf
, 157 КБ
