MJD112T4G, DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, D-PAK, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 47 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MJD112T4G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1808308

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.38мм

Высота

2.38мм

Длина

6.73мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Ширина

6.22мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

3 В

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4 В

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 А

Максимальный запирающий ток коллектора

0.02mA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 229 КБ

MJD112T4G, DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, D-PAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 47 руб.

Техническая документация