ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJB45H11G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А, 2 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
MJB45H11G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А, 2 Вт, TO-252 (DPAK)…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJB45H11G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А, 2 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Последняя цена
210 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
MJB45H11G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1305432
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1-Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
80В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252(DPAK)
Рассеиваемая Мощность
2Вт
Полярность Транзистора
PNP
DC Ток Коллектора
10А
DC Усиление Тока hFE
40hFE
Частота Перехода ft
40МГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
2.31
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Линейка Продукции
MJxxxx Series
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 110 КБ