MJB44H11G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А, 50 Вт, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
• Низкой напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE (sat) = максимум 1В при 8А)• Высокая скорость переключения• Дополнительные пары упрощают конструкцию• Защита от ЭСР - 3В >8000В модель человеческого тела, C >400В модель машины• Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5В• Тепловое сопротивление переход-корпус 2.5°C• Вт• Тепловое сопротивление 7.5°C• Вт, переход к окружающей среде
