MJ11012G, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 60 В, 30 А, 200 Вт, TO-204AA, Through Hole, ONSEMI - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

• Дополнительное устройство
• Монолитная конструкция со встроенными шунтирующими резисторами база-эмиттер

Производитель

ONSEMI

Артикул

MJ11012G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1305411

Максимальная Рабочая Температура

200 C

Количество Выводов

2вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

60В

Стиль Корпуса Транзистора

TO-204AA

Рассеиваемая Мощность

200Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

30а

DC Усиление Тока hFE

1000hFE

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

12.02

MJ11012G, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 60 В, 30 А, 200 Вт, TO-204AA, Through Hole - характеристики, поставщики