M93C66-WMN6P, Микросхема памяти, EEPROM Serial-Microwire, 4K-bit (512 x 8/256 x 16), 3.3V/5V [SO-8]
![M93C66-WMN6P, Микросхема памяти, EEPROM Serial-Microwire, 4K-bit (512 x 8/256 x 16), 3.3V/5V [SO-8]](/file/p_img/1780719.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, M93C66-WMN6P
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 2 мгц |
| Интерфейс | microwire, 3-wire serial |
| Напряжение питания, В | 2.5…5.5 |
| Рабочая температура, °C | -40…+85 |
| Корпус | soic-8(3.9мм) |
• Промышленная стандартная шина MICROWIRE • Двойная организация по словам (x16) или байтам (x8) • Инструкции по программированию, кото…
M93C56-WMN6TP, Энергонезависимая память, 2КБит (256x8 или 128x16), 2МГц [SO-8]
![M93C56-WMN6TP, Энергонезависимая память, 2КБит (256x8 или 128x16), 2МГц [SO-8]](/file/p_img/1780718.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, M93C56-WMN6TP
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 2 мгц |
| Интерфейс | microwire, 3-wire serial |
| Напряжение питания, В | 2.5…5.5 |
| Рабочая температура, °C | -40…+85 |
| Корпус | soic-8(3.9мм) |
Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]; Тип: EEPROM; Интерфейс: Microwire; Объём: 2 кбит; Организация: 256x8 or 128x16; Скорость: 2MHz; Напряжение:…
M93C46-WMN6TP, Энергонезависимая память [SO-8]
![M93C46-WMN6TP, Энергонезависимая память [SO-8]](/file/p_img/1780717.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, M93C46-WMN6TP
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 2 мгц |
| Интерфейс | microwire, 3-wire serial |
| Напряжение питания, В | 2.5…5.5 |
| Рабочая температура, °C | -40…+85 |
| Корпус | soic-8(3.9мм) |
M93C46-WMN6P, Микросхема памяти, EEPROM Serial-Microwire, 1K-bit (128 x 8/64 x 16), 3.3V/5V [SO-8]
![M93C46-WMN6P, Микросхема памяти, EEPROM Serial-Microwire, 1K-bit (128 x 8/64 x 16), 3.3V/5V [SO-8]](/file/p_img/1780716.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, M93C46-WMN6P
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 2 мгц |
| Интерфейс | microwire, 3-wire serial |
| Напряжение питания, В | 2.5…5.5 |
| Рабочая температура, °C | -40…+85 |
| Корпус | soic-8(3.9мм) |
Последовательный микропровод с электрически стираемым PROM, STMicroelectronics
M48Z08-100PC1, Микросхема памяти SRAM, [PCDIP-28]
![M48Z08-100PC1, Микросхема памяти SRAM, [PCDIP-28]](/file/p_img/1780578.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, M48Z08-100PC1
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 100 нс |
| Напряжение питания, В | 4.75…5.5 |
| Рабочая температура, °C | 0…+70 |
| Корпус | dip-28 module(15.24мм) |
• Интегрированная SRAM со сверхнизким энергопотреблением и схема управления сбоями питания • Время цикла READ равно времени цикла WRITE
M48Z02-150PC1, Микросхема памяти, Non-Volatile SRAM 16Кбит 150нс [DIP24]
![M48Z02-150PC1, Микросхема памяти, Non-Volatile SRAM 16Кбит 150нс [DIP24]](/file/p_img/1780577.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, M48Z02-150PC1
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 150 нс |
| Интерфейс | parallel |
| Напряжение питания, В | 4.75…5.5 в |
| Рабочая температура, °C | 0…+70 гр.c |
| Корпус | dip-24 module(0.600, 15.24мм) |
• Интегрированная SRAM сверхнизкого энергопотребления и схема управления отключением питания • Неограниченные циклы записи • Время цик…
M29W160EB-70N6
Производитель: ST Microelectronics
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 70 нс |
| Интерфейс | parallel |
| Корпус | tfsop-48(0.724, 18.40мм) |
M29F002BB-90N1, Flash 2МБит [TSOP-32]
![M29F002BB-90N1, Flash 2МБит [TSOP-32]](/file/p_img/1780536.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, M29F002BB-90N1
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 90 нс |
| Интерфейс | parallel |
| Напряжение питания, В | 4.5…5.5 в |
| Рабочая температура, °C | 0…+70 гр.c |
| Корпус | tfsop-32(0.724, 18.40мм) |
M27C801-100F1, Интегральная микросхема памяти [CDIP-32]
![M27C801-100F1, Интегральная микросхема памяти [CDIP-32]](/file/p_img/1780534.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, M27C801-100F1
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 100 нс |
| Интерфейс | parallel |
| Напряжение питания, В | 4.5…5.5 |
| Рабочая температура, °C | 0…+70 |
| Корпус | cdip-32(15.24мм) |