M95160-WMN6P, Микросхема памяти EEPROM, 16Кб, 10МГц [SOIC-8]
![M95160-WMN6P, Микросхема памяти EEPROM, 16Кб, 10МГц [SOIC-8]](/file/p_img/1780730.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, M95160-WMN6P
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 10 мгц |
| Интерфейс | spi serial |
| Напряжение питания, В | 2.5…5.5 в |
| Рабочая температура, °C | -40…+85 гр.c |
| Корпус | soic-8(0.154, 3.90мм) |
M95160-WMN6P является EEPROM 16Кбит (2К x 8 бит) с SPI шиной в 8-выводном корпусе SOIC. Устройство может работать в диапазоне напряжения питания…
M95160-RMN6TP, Энергонезависимая память, SPI, 16 Кбит (2Кx8), 5МГц [SO-8]
![M95160-RMN6TP, Энергонезависимая память, SPI, 16 Кбит (2Кx8), 5МГц [SO-8]](/file/p_img/1780729.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, M95160-RMN6TP
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 5 мгц |
| Интерфейс | spi serial |
| Напряжение питания, В | 1.8…5.5 |
| Рабочая температура, °C | -40…+85 |
| Корпус | soic-8(3.9мм) |
Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]; Тип: EEPROM; Интерфейс: SPI; Объём: 16 кбит; Организация: 2Kx8; Скорость: 5MHz; Напряжение: 1.8...5.5 В
M95080-WMN6TP, Энергонезависимая память, 8Кбит, 10МГц [SO-8]
![M95080-WMN6TP, Энергонезависимая память, 8Кбит, 10МГц [SO-8]](/file/p_img/1780728.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, M95080-WMN6TP
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 10 мгц |
| Интерфейс | spi serial |
| Напряжение питания, В | 2.5…5.5 |
| Рабочая температура, °C | -40…+85 |
| Корпус | soic-8(3.9мм) |
Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]; Тип: EEPROM; Интерфейс: SPI; Объём: 8 кбит; Организация: 1Kx8; Скорость: 10MHz; Напряжение: 2.5...5.5 В
M95040-WMN6TP, Энергонезависимая память, 4Кбит, SPI, [SO-8]
![M95040-WMN6TP, Энергонезависимая память, 4Кбит, SPI, [SO-8]](/file/p_img/1780726.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, M95040-WMN6TP
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 10 мгц |
| Интерфейс | spi serial |
| Напряжение питания, В | 2.5…5.5 |
| Рабочая температура, °C | -40…+85 |
| Корпус | soic-8(3.9мм) |
Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]; Тип: EEPROM; Интерфейс: SPI; Объём: 4 кбит; Организация: 512x8; Скорость: 10MHz; Напряжение: 2.5...5.5 В
M95010-RMN6TP, Микросхема памяти, EEPROM Serial-SPI 1K-bit 128 x 8 2.5V/3.3V/5V, SO-8
Производитель: ST Microelectronics, M95010-RMN6TP
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 20 мгц |
| Интерфейс | spi serial |
| Напряжение питания, В | 1.8…5.5 в |
| Рабочая температура, °C | -40…+85 гр.c |
| Корпус | soic-8(0.154, 3.90мм) |
Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]; Тип: EEPROM; Интерфейс: SPI; Объём: 1 кбит; Организация: 128x8; Скорость: 5MHz; Напряжение: 1.8...5.5 В
M93S56-WMN6P, Энергонезависимая память, 2Кбит [SO-8]
![M93S56-WMN6P, Энергонезависимая память, 2Кбит [SO-8]](/file/p_img/1780724.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, M93S56-WMN6P
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 2 мгц |
| Интерфейс | microwire, 3-wire serial |
| Напряжение питания, В | 2.5…5.5 |
| Рабочая температура, °C | -40…+85 |
| Корпус | soic-8(3.9мм) |
M93C76-WMN6TP, Энергонезависимая память, 8 Кбит(1Кx8 or 512x16), 2МГц [SO-8]
![M93C76-WMN6TP, Энергонезависимая память, 8 Кбит(1Кx8 or 512x16), 2МГц [SO-8]](/file/p_img/1780722.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, M93C76-WMN6TP
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 2 мгц |
| Интерфейс | microwire, 3-wire serial |
| Напряжение питания, В | 2.5…5.5 |
| Рабочая температура, °C | -40…+85 |
| Корпус | soic-8(3.9мм) |
Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]; Тип: EEPROM; Интерфейс: Microwire; Объём: 8 кбит; Организация: 1Kx8 or 512x16; Скорость: 2MHz; Напряжение:…
M93C76-RDW3TP/K, Микросхема памяти, EEPROM Serial-Microwire 8K-bit 1K x 8/512 x 16 2.5V/3.3V/5V Automotive [TSSOP-8]
Производитель: ST Microelectronics, M93C76-RDW3TP/K
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 2 мгц |
| Интерфейс | microwire, 3-wire serial |
| Напряжение питания, В | 1.8…5.5 |
| Рабочая температура, °C | -40…+125 |
| Корпус | tssop-8(4.4мм) |
M93C66-WMN6TP, Энергонезависимая память, 4 Кбит, 2MHz [SO-8]
![M93C66-WMN6TP, Энергонезависимая память, 4 Кбит, 2MHz [SO-8]](/file/p_img/1780720.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, M93C66-WMN6TP
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 2 мгц |
| Интерфейс | microwire, 3-wire serial |
| Напряжение питания, В | 2.5…5.5 |
| Рабочая температура, °C | -40…+85 |
| Корпус | soic-8(3.9мм) |
Корпус SO-8, Тип памяти EEPROM, Подтип памяти EEPROM, Интерфейс Microwire, Объём памяти 4 кбит, Напряжение питания, min 2.5 В, Напряжение питания, m…