71V424S12PHGI, SRAM, 4 Мбит, 512К x 8бит, 3В до 3.6В, TSOP-II, 44 вывод(-ов), 12 нс
Производитель: Renesas Technology, 71V424S12PHGI
Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAMSRAM - ИС асинхронной памяти 4 Мб (512 КБ x 8), параллельный 12 нс 44-TSOP II
71V424S10YG8, SRAM, 4 Мбит, 512К x 8бит, 3В до 3.6В, SOJ, 36 вывод(-ов), 10 нс
Производитель: Renesas Technology, 71V424S10YG8
71V424S10PHG, SRAM, 4 Мбит, 512К x 8бит, 3В до 3.6В, TSOP-II, 44 вывод(-ов), 10 нс
Производитель: Renesas Technology, 71V424S10PHG
Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAMSRAM - микросхема асинхронной памяти 4 Мб (512 КБ x 8), параллельная 10 нс 44-TSOP II
71V416S15PHGI8, SRAM, 4 Мбит, 256К x 16бит, 3В до 3.6В, TSOP-II, 44 вывод(-ов), 15 нс
Производитель: Renesas Technology, 71V416S15PHGI8
71V416S15PHGI, SRAM, 4 Мбит, 256К x 16бит, 3В до 3.6В, TSOP, 44 вывод(-ов), 15 нс
Производитель: Renesas Technology, 71V416S15PHGI
Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAMSRAM - ИС асинхронной памяти 4 Мб (256 КБ x 16), параллельный 15 нс 44-TSOP II
71V416S15PHG, SRAM, 4 Мбит, 256К x 16бит, 3В до 3.6В, TSOP, 44 вывод(-ов), 15 нс
Производитель: Renesas Technology, 71V416S15PHG
71V416L10PHG, SRAM, 4 Мбит, 256К x 16бит, 3В до 3.6В, TSOP, 44 вывод(-ов), 10 нс
Производитель: Renesas Technology, 71V416L10PHG
Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAMSRAM - микросхема асинхронной памяти 4 Мб (256 КБ x 16), параллельная 10 нс 44-TSOP II
71V256SA15PZGI, SRAM, 256 Кбит, 32К x 8бит, 3В до 3.6В, TSOP-I, 28 вывод(-ов), 15 нс
Производитель: Renesas Technology, 71V256SA15PZGI
71V016SA12YG, SRAM, 1 Мбит, 64К x 16бит, 3.15В до 3.6В, SOJ, 44 вывод(-ов), 12 нс
Производитель: Renesas Technology, 71V016SA12YG
Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAM • Усовершенствованное высокоскоростное статическое ОЗУ CMOS 64K x 16 • Равное время досту…
71T75902S75PFGI, SRAM, 18 Мбит, 1М x 18бит, 2.375В до 2.625В, TQFP, 100 вывод(-ов), 7.5 нс
