71V424S12PHGI, SRAM, 4 Мбит, 512К x 8бит, 3В до 3.6В, TSOP-II, 44 вывод(-ов), 12 нс, Renesas Technology - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1000 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAM

SRAM - ИС асинхронной памяти 4 Мб (512 КБ x 8), параллельный 12 нс 44-TSOP II

Информация

Производитель

Renesas Technology

Артикул

71V424S12PHGI

Категория

Микросхемы памяти

Номенклатурный номер

1114798

Технические параметры

Максимальная рабочая температура

85 C

Минимальная рабочая температура

-40 C

Время доступа

12нс

Размер памяти

4Мбит

Access Time

12ns

Base Product Number

71V424 ->

ECCN

3A991B2A

HTSUS

8542.32.0041

Memory Format

SRAM

Memory Interface

Parallel

Memory Size

4Mb (512K x 8)

Memory Type

Volatile

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 85В°C (TA)

Package

Tube

Package / Case

44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

44-TSOP II

Technology

SRAM - Asynchronous

Voltage - Supply

3V ~ 3.6V

Write Cycle Time - Word, Page

12ns

Количество Выводов

44вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 3-168 часов

Стиль Корпуса Микросхемы Памяти

TSOP-II

Диапазон Напряжения Питания

3В до 3.6В

Конфигурация Памяти SRAM

512К x 8бит

Техническая документация

Datasheet , pdf , 155 КБ
Datasheet 71V424S12PHGI , pdf , 156 КБ

71V424S12PHGI, SRAM, 4 Мбит, 512К x 8бит, 3В до 3.6В, TSOP-II, 44 вывод(-ов), 12 нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 1000 руб.

Техническая документация