ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MID75-12A3, Модуль БТИЗ, 1200В 90A Y4-м5 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
MID75-12A3, Модуль БТИЗ, 1200В 90A Y4-м5
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
MID75-12A3, Модуль БТИЗ, 1200В 90A Y4-м5
Последняя цена
6640 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Модули IGBT
Модули IGBT, IXYS
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
MID75-12A3
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2148357
Технические параметры
Производитель
IXYS
Тип корпуса
Y4 M5
Тип монтажа
Panel Mount
Brand
IXYS
Mounting Type
Монтаж на панель
Length
94мм
Transistor Configuration
Одинарный
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Height
30мм
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Длина
94мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
90 А
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
30мм
Число контактов
7
Размеры
94 x 34 x 30мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
34мм
Конфигурация
Одинарный
Configuration
Одиночный
Вес, г
108