ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MDU1516URH, Транзистор 30V 18.7A - характеристики, поставщики
ELDG.ru
MagnaChip Semiconductor
MDU1516URH, Транзистор 30V 18.7A
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
MDU1516URH, Транзистор 30V 18.7A
Последняя цена
54 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор низкого напряжения (НН)
Эти полевые МОП-транзисторы низкого напряжения (НН) обеспечивают низкое сопротивление в открытом состоянии и быстрое переключение.
Информация
Производитель
MagnaChip Semiconductor
Артикул
MDU1516URH
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1809720
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
47 A
Максимальное рассеяние мощности
35,7 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
5.1мм
Высота
1.1мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
14 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Прямое напряжение диода
1.1V
Длина
6.1мм
Типичное время задержки выключения
23 ns
Тип корпуса
PowerDFN56
Размеры
6.1 x 5.1 x 1.1мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
10,3 нс
Производитель
MagnaChip
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
14,6 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
882 пФ при 15 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямая активная межэлектродная проводимость
31S