ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MDI145-12A3, , Y4 M5 , N-Channel IGBT Module, 160 A max, 1200 V, Panel Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
MDI145-12A3, , Y4 M5 , N-Channel IGBT Module, 160 A max, 1200 V, Panel…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
MDI145-12A3, , Y4 M5 , N-Channel IGBT Module, 160 A max, 1200 V, Panel Mount
Последняя цена
6780 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Модули IGBT, IXYS
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
MDI145-12A3
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1301337
Технические параметры
Тип корпуса
Y4 M5
Тип монтажа
Монтаж на панель
Brand
IXYS
Package Type
Y4 M5
Base Product Number
MDI ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Монтаж на панель
Operating Temperature
-40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Box
Package / Case
Y4-M5
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
Y4-M5
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
94мм
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 В
Maximum Continuous Collector Current
160 A
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Width
34мм
Pin Count
7
Dimensions
94 x 34 x 30мм
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Channel Type
N
Длина
94мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальный непрерывный ток коллектора
160 А
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
30мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
+/- 20 V
Current - Collector (Ic) (Max)
160A
Power - Max
700W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+150 °C
IGBT Type
NPT
Ширина
34мм
Конфигурация
Одиночный
Configuration
Одинарный
Pd - рассеивание мощности
700 W
Вид монтажа
Chassis Mount
Категория продукта
Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.2 kV
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
160 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
6
Тип продукта
IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер
400 nA
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Bulk
Упаковка / блок
Y4-M5-7
Current - Collector Cutoff (Max)
6mA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
6.5nF @ 25V
NTC Thermistor
No
Продукт
IGBT Silicon Modules
Серия
MDI145
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet MDI145-12A3 , pdf
, 202 КБ
Datasheet MDI145-12A3 , pdf
, 203 КБ