MDD1903RH, Транзистор N-CH 100V 12.8A D-PAK, MagnaChip Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 87 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор низкого напряжения (НН)
Эти полевые МОП-транзисторы низкого напряжения (НН) обеспечивают низкое сопротивление в открытом состоянии и быстрое переключение.

Информация

Производитель

MagnaChip Semiconductor

Артикул

MDD1903RH

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1813985

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.44

Максимальный непрерывный ток стока

12.8 A

Максимальное рассеяние мощности

36,8 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

6.22мм

Высота

2.39мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

110 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.2V

Длина

6.73мм

Типичное время задержки выключения

16,2 нс

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.39мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

6.8 ns

Производитель

MagnaChip

Maximum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

8,8 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

475 pF @ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Прямая активная межэлектродная проводимость

17s

MDD1903RH, Транзистор N-CH 100V 12.8A D-PAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 87 руб.