ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MBT6429DW1T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 45 В, 200 мА, 150 мВт, 500 hFE, SC-88 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
MBT6429DW1T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 45 В, 200…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MBT6429DW1T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 45 В, 200 мА, 150 мВт, 500 hFE, SC-88
Последняя цена
48 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
MBT6429DW1T1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1285926
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
45В
Стиль Корпуса Транзистора
SC-88
Рассеиваемая Мощность
150мВт
Полярность Транзистора
Двойной NPN
DC Ток Коллектора
200ма
DC Усиление Тока hFE
500hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.01
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet MBT6429DW1T1G , pdf
, 220 КБ