LSIC1MO120E0160, Транзистор N-MOSFET, полевой, 1,2кВ, 14А, 125Вт, TO247-3, SiC, Littelfuse - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1900 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet

Информация

Производитель

Littelfuse

Артикул

LSIC1MO120E0160

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2176269

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

6.1

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

450

Серия

LSIC1MO

Торговая марка

Littelfuse

Id - непрерывный ток утечки

22 A

Pd - рассеивание мощности

125 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1.2 kV

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247-3

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

SiC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

200 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

5 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.8 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

22A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 800V

Power Dissipation (Max)

125W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 10A, 20V

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

+22V, -6V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 5mA

Qg - заряд затвора

57 nC

Время нарастания

8 ns

Время спада

14 ns

Типичное время задержки выключения

19 ns

Типичное время задержки при включении

12 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 20V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet LSIC1MO120E0160 , pdf , 931 КБ
Datasheet LSIC1MO120E0160 , pdf , 937 КБ
Datasheet LSIC1MO120E0160 , pdf , 931 КБ

LSIC1MO120E0160, Транзистор N-MOSFET, полевой, 1,2кВ, 14А, 125Вт, TO247-3, SiC - характеристики, поставщики

Последняя цена 1900 руб.

Техническая документация