LSIC1MO120E0120, Транзистор N-MOSFET, полевой, 1,2кВ, 18А, 139Вт, TO247-3, SiC, Littelfuse - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2390 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet

Информация

Производитель

Littelfuse

Артикул

LSIC1MO120E0120

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2133485

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

6.1

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

450

Серия

LSIC1MO

Торговая марка

Littelfuse

Id - непрерывный ток утечки

27 A

Pd - рассеивание мощности

139 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1.2 kV

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N Канал

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247-3

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

SiC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

150 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.8 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

27A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1125pF @ 800V

Power Dissipation (Max)

139W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 14A, 20V

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

+22V, -6V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 7mA

Qg - заряд затвора

80 nC

Время нарастания

7 ns

Время спада

10 ns

Типичное время задержки выключения

16 ns

Типичное время задержки при включении

12 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 20V

Линейка Продукции

LSIC1MO120 Series

Напряжение Измерения Rds(on)

20В

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

27А

Пороговое Напряжение Vgs

2.8В

Рассеиваемая Мощность

139Вт

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.12Ом

California Prop 65

Warning Information

MOSFET Configuration

Single

Техническая документация

Datasheet LSIC1MO120E0120 , pdf , 916 КБ
Datasheet LSIC1MO120E0120 , pdf , 526 КБ
Datasheet LSIC1MO120E0120 , pdf , 909 КБ

LSIC1MO120E0120, Транзистор N-MOSFET, полевой, 1,2кВ, 18А, 139Вт, TO247-3, SiC - характеристики, поставщики

Последняя цена 2390 руб.

Техническая документация