ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
KTB778-O (2SB778), Транзистор PNP 120В 10А 80Вт [SC-65] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Korea Electronics
KTB778-O (2SB778), Транзистор PNP 120В 10А 80Вт [SC-65]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
KTB778-O (2SB778), Транзистор PNP 120В 10А 80Вт [SC-65]
Последняя цена
68 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Korea Electronics
Артикул
KTB778-O (2SB778)
P/N
2SB778
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1749348
Технические параметры
Вес, г
7.785
Структура
pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
80
Корпус
to-3p(h)is
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
10
Техническая документация
2SB778 , pdf
, 52 КБ