ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
KSD882YSTU, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 3 А, 10 Вт, TO-126, Through Hole - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
KSD882YSTU, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 3 А, 10 Вт, TO-126, Thro…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
KSD882YSTU, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 3 А, 10 Вт, TO-126, Through Hole
Последняя цена
98 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
KSD882YSTU
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1259908
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
30В
Стиль Корпуса Транзистора
to-126
Рассеиваемая Мощность
10Вт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
3А
DC Усиление Тока hFE
160hFE
Частота Перехода ft
90МГц
Transistor Mounting
Through Hole
Вес, г
0.4
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 216 КБ