ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
KSC5603DTU, Биполярный транзистор, NPN, 800 В, 3 А, 100 Вт, TO-220, Through Hole - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
KSC5603DTU, Биполярный транзистор, NPN, 800 В, 3 А, 100 Вт, TO-220, Th…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
KSC5603DTU, Биполярный транзистор, NPN, 800 В, 3 А, 100 Вт, TO-220, Through Hole
Последняя цена
330 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
KSC5603DTU
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1259877
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
800В
Стиль Корпуса Транзистора
to-220
Рассеиваемая Мощность
100Вт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
3А
DC Усиление Тока hFE
20hFE
Частота Перехода ft
5мгц
Transistor Mounting
Through Hole
Вес, г
0.4
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 314 КБ