ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
KSC2690AYSTU, Транзистор NPN 160В 1.2А [TO-126] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
KSC2690AYSTU, Транзистор NPN 160В 1.2А [TO-126]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
KSC2690AYSTU, Транзистор NPN 160В 1.2А [TO-126]
Последняя цена
47 руб.
Сравнить
Описание
Силовые транзисторы NPN, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
KSC2690AYSTU
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1776144
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.9
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
160 В
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
NPN
Размеры
8 x 3.25 x 11мм
Высота
11мм
Длина
8мм
Ширина
3.25мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.7 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
20 W
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
160 В
Максимальный пост. ток коллектора
1,2 А
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
1 МГц
Число контактов
3
Тип корпуса
TO-126
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,3 В
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
60
Техническая документация
KSC2690 , pdf
, 175 КБ
Datasheet , pdf
, 170 КБ
Datasheet KSC2690AYSTU , pdf
, 51 КБ