KSC1008YTA, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 700 мА, 800 мВт, TO-226AA, Through Hole, ONSEMI - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 75 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Transistor

Информация

Производитель

ONSEMI

Артикул

KSC1008YTA

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1259820

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

60В

Стиль Корпуса Транзистора

TO-226AA

Рассеиваемая Мощность

800мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

700мА

DC Усиление Тока hFE

120hFE

Частота Перехода ft

50МГц

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

0.48

Base Product Number

KSC1008 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

700mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 50mA, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

50MHz

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)

Package / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Power - Max

800mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-92-3

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Pd - рассеивание мощности

800 mW

Вид монтажа

Through Hole

Высота

4.7 mm

Длина

4.7 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.7 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

8 V

Непрерывный коллекторный ток

0.7 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

2000

Серия

KSC1008

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка

Ammo Pack

Упаковка / блок

TO-92-3 Kinked Lead

Ширина

3.93 mm

Другие названия товара №

KSC1008YTA_NL

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

400

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

50 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.2 V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 289 КБ
Datasheet KSC1008YTA , pdf , 306 КБ
Datasheet KSC1008YTA , pdf , 241 КБ

KSC1008YTA, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 700 мА, 800 мВт, TO-226AA, Through Hole - характеристики, поставщики

Последняя цена 75 руб.

Техническая документация