KSC1008YBU, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 700 мА, 800 мВт, TO-92, Through Hole, ONSEMI - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 73 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

• Эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN
• Усилитель низкой частоты, коммутация средней скорости

Информация

Производитель

ONSEMI

Артикул

KSC1008YBU

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1259818

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

60В

Стиль Корпуса Транзистора

to-92

Рассеиваемая Мощность

800мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

700мА

DC Усиление Тока hFE

120hFE

Частота Перехода ft

50МГц

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

0.4

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0,4 В

Maximum Operating Frequency

1 МГц

Number of Elements per Chip

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

60 В

Package Type

TO-92

Dimensions

4.58 x 3.86 x 4.58мм

Maximum Emitter Base Voltage

8 В

Максимальное напряжение коллектор-база

80 V

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

NPN-NO/NC

Размеры

4.58 x 3.86 x 4.58мм

Pd - рассеивание мощности

800 mW

Вид монтажа

Through Hole

Высота

4.58мм

Длина

4.58мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.7 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

8 V

Непрерывный коллекторный ток

0.7 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

10000

Серия

KSC1008

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка

Bulk

Упаковка / блок

TO-92-3

Ширина

3.86мм

Другие названия товара №

KSC1008YBU_NL

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

400

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

50 MHz

Технология

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,4 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

800 мВт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.2 V

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальный пост. ток коллектора

700 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

8 В

Максимальная рабочая частота

1 МГц

Число контактов

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1,1 В

Тип корпуса

TO-92

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,1 В

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

Datasheet , pdf , 241 КБ
Datasheet , pdf , 241 КБ

KSC1008YBU, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 700 мА, 800 мВт, TO-92, Through Hole - характеристики, поставщики

Последняя цена 73 руб.

Техническая документация