ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
J112, Транзистор, N-канал 35В 50мА [TO-92] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
J112, Транзистор, N-канал 35В 50мА [TO-92]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
J112, Транзистор, N-канал 35В 50мА [TO-92]
Последняя цена
21 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный JFET, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
J112
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1774110
Технические параметры
Вес, г
0.3
Структура
n-канал
Корпус
to-92
Напряжение пробоя (V(br)gss), В
35
Ток утечки (Idss), мА
5(min)
при Vds, В (Vgs=0)
15
Напряжение отсечки (Vgs off), В
1…5
при Id, нА
1000
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
0.625
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+150
Сопротивление канала (RDS(On)), Ом
50(max)
Техническая документация
J112 , pdf
, 489 КБ
Datasheet , pdf
, 399 КБ