ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
J109-D26Z, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), 25 В, 40 мА, 6 В, TO-92, JFET - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
J109-D26Z, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), 25 В, 40 мА, 6 В, TO…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
J109-D26Z, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), 25 В, 40 мА, 6 В, TO-92, JFET
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
J109-D26Z
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1254431
Технические параметры
Количество Выводов
3 Вывода
Стиль Корпуса Транзистора
TO-92
Напряжение Пробоя Vbr
25В
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off)
6В
Тип Транзистора
JFET
Вес, г
0.4
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min)
40мА
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Техническая документация
Datasheet J109-D26Z , pdf
, 1097 КБ