IXYN82N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 66А; SOT227B, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 5650 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Модули IGBT

Дискретные транзисторы IGBT, серия IXYS XPT
Дискретные транзисторы IGBT серии XPT ™ от IXYS оснащены технологией сверхлегких сквозных тонких пластин, что позволяет снизить тепловое сопротивление и потери энергии. Эти устройства предлагают быстрое переключение с низким остаточным током и доступны в различных отраслевых стандартных и патентованных пакетах.

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXYN82N120C3H1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2166196

Технические параметры

Тип корпуса

SOT-227B

Brand

IXYS

Package Type

SOT-227B

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

SOT-227-4, miniBLOC

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-227B

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

38.23mm

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 В

Maximum Continuous Collector Current

105 А

Maximum Power Dissipation

500 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

25.07mm

Pin Count

Dimensions

38.23 x 25.07 x 9.6mm

Switching Speed

20 → 50kHz

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Channel Type

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

105 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.6мм

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Current - Collector (Ic) (Max)

105A

Power - Max

500W

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 82A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Конфигурация

Single

Configuration

Single

Вес, г

30.01

Pd - рассеивание мощности

500 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.75 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

105 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

105 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

IXYS

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

SOT-227B-4

Current - Collector Cutoff (Max)

50ВµA

Input

Standard

Input Capacitance (Cies) @ Vce

4060pF @ 25V

NTC Thermistor

Серия

IXYN82N120

Технология

Series

XPTв„ў, GenX3в„ў ->

Коммерческое обозначение

XPT

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXYN82N120C3H1 , pdf , 225 КБ
Datasheet IXYN82N120C3H1 , pdf , 185 КБ

IXYN82N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 66А; SOT227B - характеристики, поставщики

Последняя цена 5650 руб.

Техническая документация