ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXYN80N90C3H1, IGBT, 340 A 900 V, 4-Pin SOT-227B - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXYN80N90C3H1, IGBT, 340 A 900 V, 4-Pin SOT-227B
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXYN80N90C3H1, IGBT, 340 A 900 V, 4-Pin SOT-227B
Последняя цена
3420 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Дискретные транзисторы IGBT, серия IXYS XPT
Дискретные транзисторы IGBT серии XPT ™ от IXYS оснащены технологией сверхлегких сквозных тонких пластин, что позволяет снизить тепловое сопротивление и потери энергии. Эти устройства предлагают быстрое переключение с низким остаточным током и доступны в различных отраслевых стандартных и патентованных пакетах.
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXYN80N90C3H1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1254022
Технические параметры
Brand
IXYS
Package Type
SOT-227B
Mounting Type
Монтаж на панели
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
38.23mm
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Collector Emitter Voltage
900 V
Maximum Continuous Collector Current
340 A
Maximum Power Dissipation
500 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
25.07mm
Height
9.6mm
Pin Count
4
Dimensions
38.23 x 25.07 x 9.6mm
Switching Speed
50кГц
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Channel Type
N