IXYN30N170CV1, Модуль IGBT, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3390 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V/85A High Voltage XPT IGBT

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXYN30N170CV1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1254021

Технические параметры

Brand

IXYS

Package Type

SOT-227B

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

SOT-227-4, miniBLOC

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-227B

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

38.23mm

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Collector Emitter Voltage

1700 V

Maximum Continuous Collector Current

270 A

Maximum Power Dissipation

680 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

25.42mm

Height

9.6mm

Pin Count

Dimensions

38.23 x 25.42 x 9.6mm

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Channel Type

Конфигурация транзистора

Одинарный

Минимальная рабочая температура

55 C

Высота

9.6мм

Размеры

38.23 x 25.42 x 9.6mm

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Current - Collector (Ic) (Max)

88A

Current - Collector Pulsed (Icm)

275A

Gate Charge

140nC

Power - Max

680W

Switching Energy

5.9mJ (on), 3.3mJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

28ns/150ns

Test Condition

850V, 30A, 2.7Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 30A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1700V

Тип канала

Reverse Recovery Time (trr)

160ns

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Ширина

25.42mm

Конфигурация

Single Dual Emitter

Configuration

Dual Emitter

Количество транзисторов

Number of Transistors

Pd - рассеивание мощности

680 W

Вид монтажа

Chassis Mount

Категория продукта

Модули биполярных транзисторов с изолированным зат

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1700 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

3 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

88 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

IGBT Modules

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

IXYS

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

Module

Продукт

IGBT Silicon Modules

Series

XPTв„ў ->

Коммерческое обозначение

XPT

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXYN30N170CV1 , pdf , 210 КБ
Datasheet IXYN30N170CV1 , pdf , 207 КБ

IXYN30N170CV1, Модуль IGBT - характеристики, поставщики

Последняя цена 3390 руб.

Техническая документация