IXYN100N65C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 90А; SOT227B, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3840 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Модули IGBT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/166A XPT Copacked SOT-227B

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXYN100N65C3H1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2103049

Технические параметры

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Chassis, Stud Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

SOT-227-4, miniBLOC

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-227B

Минимальная рабочая температура

55 C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

30 V

Current - Collector (Ic) (Max)

166A

Power - Max

600W

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 70A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

650V

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

IGBT Type

Конфигурация

Single

Configuration

Single

Вес, г

30.01

Pd - рассеивание мощности

600 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

650 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.85 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

166 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

166 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

IXYS

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

SOT-227B-4

Current - Collector Cutoff (Max)

50ВµA

Input

Standard

Input Capacitance (Cies) @ Vce

4.98nF @ 25V

NTC Thermistor

Серия

IXYN100N65

Технология

Series

XPTв„ў, GenX3в„ў ->

Коммерческое обозначение

XPT

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXYN100N65C3H1 , pdf , 233 КБ
Datasheet IXYN100N65C3H1 , pdf , 233 КБ

IXYN100N65C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 90А; SOT227B - характеристики, поставщики

Последняя цена 3840 руб.

Техническая документация