ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXYH60N90C3, Транзистор IGBT, GenX3™, 900В, 60А, 750Вт, TO247-3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXYH60N90C3, Транзистор IGBT, GenX3™, 900В, 60А, 750Вт, TO247-3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXYH60N90C3, Транзистор IGBT, GenX3™, 900В, 60А, 750Вт, TO247-3
Последняя цена
840 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 900V 60A 2.7V XPT IGBT GenX3
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXYH60N90C3
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2101325
Технические параметры
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247AD
Минимальная рабочая температура
55 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
+/- 20 V
Current - Collector (Ic) (Max)
140A
Current - Collector Pulsed (Icm)
310A
Gate Charge
107nC
Power - Max
750W
Switching Energy
2.7mJ (on), 1.55mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
30ns/87ns
Test Condition
450V, 60A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
900V
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Конфигурация
Single
Вес, г
6
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
900 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
140 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
30
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-247-3
Технология
Si
Series
GenX3в„ў, XPTв„ў ->
Коммерческое обозначение
XPT
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet IXYH60N90C3 , pdf
, 156 КБ
