ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXYH50N120C3D1, IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXYH50N120C3D1, IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXYH50N120C3D1, IGBT
Последняя цена
1210 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Дискретные транзисторы IGBT, серия IXYS XPT
Дискретные транзисторы IGBT серии XPT ™ от IXYS оснащены технологией сверхлегких сквозных тонких пластин, что позволяет снизить тепловое сопротивление и потери энергии. Эти устройства предлагают быстрое переключение с низким остаточным током и доступны в различных отраслевых стандартных и патентованных пакетах.
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXYH50N120C3D1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1254019
Технические параметры
Производитель
IXYS
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
IXYS
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247 (IXYH)
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Continuous Collector Current
90 А
Maximum Power Dissipation
625 Вт
Pin Count
3
Switching Speed
50кГц
Длина
16.26мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
90 А
Максимальное рассеяние мощности
625 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
21.46мм
Число контактов
3
Размеры
16.26 x 5.3 x 21.46мм
Скорость переключения
50кГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Current - Collector (Ic) (Max)
90A
Current - Collector Pulsed (Icm)
210A
Gate Charge
142nC
Power - Max
625W
Switching Energy
3mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
28ns/133ns
Test Condition
600V, 50A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Тип канала
N
Reverse Recovery Time (trr)
195ns
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
5.3мм
Конфигурация
Single
Pd - рассеивание мощности
625 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
4.2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
90 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
90 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
30
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-247AD-3
Серия
IXYH50N120
Технология
Si
Series
GenX3в„ў, XPTв„ў ->
Коммерческое обозначение
XPT
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet IXYH50N120C3D1 , pdf
, 180 КБ
