IXYH30N120C3, IGBT, 75 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1000 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Дискретные транзисторы IGBT, серия IXYS XPT
Дискретные транзисторы IGBT серии XPT ™ от IXYS оснащены технологией сверхлегких сквозных тонких пластин, что позволяет снизить тепловое сопротивление и потери энергии. Эти устройства предлагают быстрое переключение с низким остаточным током и доступны в различных отраслевых стандартных и патентованных пакетах.

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXYH30N120C3

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1254016

Технические параметры

Производитель

IXYS

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

IXYS

Package Type

TO-247

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247 (IXYH)

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

16.26mm

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 В

Maximum Continuous Collector Current

75 A

Maximum Power Dissipation

500 W

Pin Count

Dimensions

16.26 x 5.3 x 21.46mm

Switching Speed

50kHz

Channel Type

Длина

16.26мм

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

75 A

Максимальное рассеяние мощности

500 Вт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

21.46мм

Число контактов

Размеры

16.26 x 5.3 x 21.46мм

Скорость переключения

50кГц

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Current - Collector (Ic) (Max)

75A

Current - Collector Pulsed (Icm)

145A

Gate Charge

69nC

Power - Max

500W

Switching Energy

2.6mJ (on), 1.1mJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

19ns/130ns

Test Condition

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 30A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

5.3мм

Конфигурация

Single

Pd - рассеивание мощности

500 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

3.7 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

75 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

75 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

IXYS

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247AD-3

Серия

IXYH30N120

Технология

Series

GenX3в„ў, XPTв„ў ->

Коммерческое обозначение

XPT

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXYH30N120C3 , pdf , 189 КБ

IXYH30N120C3, IGBT, 75 A 1200 V, 3-Pin TO-247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 1000 руб.

Техническая документация