IXYH20N120C3D1, Транзистор IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 17А, 230Вт, TO247-3, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1410 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT

Дискретные транзисторы IGBT, серия IXYS XPT
Дискретные транзисторы IGBT серии XPT ™ от IXYS оснащены технологией сверхлегких сквозных тонких пластин, что позволяет снизить тепловое сопротивление и потери энергии. Эти устройства предлагают быстрое переключение с низким остаточным током и доступны в различных отраслевых стандартных и патентованных пакетах.

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXYH20N120C3D1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2130734

Технические параметры

Производитель

IXYS

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Base Product Number

IXY*20N120 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247 (IXYH)

Transistor Configuration

Одинарный

Длина

16.26мм

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

36 A

Максимальное рассеяние мощности

230 Вт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

21.46мм

Число контактов

Размеры

16.26 x 5.3 x 21.46мм

Скорость переключения

50кГц

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Current - Collector (Ic) (Max)

36A

Current - Collector Pulsed (Icm)

88A

Gate Charge

53nC

Power - Max

230W

Switching Energy

1.3mJ (on), 500ВµJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

20ns/90ns

Test Condition

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Тип канала

Reverse Recovery Time (trr)

195ns

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.3мм

Конфигурация

Single

Вес, г

Pd - рассеивание мощности

230 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

4 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

36 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

36 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

IXYS

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247AD-3

Серия

IXYH20N120

Технология

Series

GenX3в„ў, XPTв„ў ->

Коммерческое обозначение

XPT

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXYH20N120C3D1 , pdf , 191 КБ
Datasheet IXYH20N120C3D1 , pdf , 184 КБ

IXYH20N120C3D1, Транзистор IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 17А, 230Вт, TO247-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 1410 руб.

Техническая документация