IXYB82N120C3H1, IGBT, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2610 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Дискретные транзисторы IGBT, серия IXYS XPT
Дискретные транзисторы IGBT серии XPT ™ от IXYS оснащены технологией сверхлегких сквозных тонких пластин, что позволяет снизить тепловое сопротивление и потери энергии. Эти устройства предлагают быстрое переключение с низким остаточным током и доступны в различных отраслевых стандартных и патентованных пакетах.

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXYB82N120C3H1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1254014

Технические параметры

Производитель

IXYS

Тип корпуса

PLUS264

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-264-3, TO-264AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PLUS264в„ў

Transistor Configuration

Одинарный

Длина

20.29мм

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

164 A

Максимальное рассеяние мощности

1,04 кВт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

26.59мм

Число контактов

Размеры

20.29 x 5.31 x 26.59мм

Скорость переключения

50кГц

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Current - Collector (Ic) (Max)

164A

Current - Collector Pulsed (Icm)

320A

Gate Charge

215nC

Power - Max

1040W

Switching Energy

4.95mJ (on), 2.78mJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

29ns/192ns

Test Condition

600V, 80A, 2Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 82A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Тип канала

Reverse Recovery Time (trr)

420ns

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.31мм

Конфигурация

Single

Pd - рассеивание мощности

1040 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.75 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

164 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

164 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

IXYS

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-264-3

Серия

IXYB82N120

Технология

Series

GenX3в„ў, XPTв„ў ->

Коммерческое обозначение

XPT

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXYB82N120C3H1 , pdf , 255 КБ
Datasheet IXYB82N120C3H1 , pdf , 217 КБ
Datasheet IXYB82N120C3H1 , pdf , 215 КБ

IXYB82N120C3H1, IGBT - характеристики, поставщики

Последняя цена 2610 руб.

Техническая документация