IXYA50N65C3, Транзистор IGBT, GenX3™, 650В, 50А, 600Вт, TO263-2, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 860 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT SMD

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/130A XPT C3-Class TO-263

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXYA50N65C3

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2120721

Технические параметры

Минимальная рабочая температура

55 C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

30 V

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Конфигурация

Single

Вес, г

2.5

Pd - рассеивание мощности

600 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

650 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.1 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

130 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

130 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

IXYS

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-263-2

Серия

IXYA50N65

Технология

Коммерческое обозначение

XPT

Техническая документация

Datasheet IXYA50N65C3 , pdf , 272 КБ

IXYA50N65C3, Транзистор IGBT, GenX3™, 650В, 50А, 600Вт, TO263-2 - характеристики, поставщики

Последняя цена 860 руб.

Техническая документация